一、什么叫LED防爆灯的发光高效率？

LED防爆灯的发光高效率是指节能灯具的光视效率以耗费1W额定功率造成是多少流明度流明值，也就是流明值与输出功率的比率，企业是流/瓦（1m/W）。一般的规定发光高效率越高越好。逐步完善LED防爆灯的发光高效率，能够提升 光輸出抗压强度，使資源的使用率越来越高些。一般LED防爆灯生产厂家全是根据LED灯的基本原理来提升 等的发光高效率，如同下边这几类一样：

1、运用电级提升或电子器件结晶等来改进器件GaNLED电流量的拓展特点；

2、提升 电流量遍布的匀称性；

3、降低电流量的集聚效用；

4、根据完成提升 集成ic的出光高效率和转换高效率，提升 器件爹康普顿效应，提高商品的特性。

二、提升 LED防爆灯发光高效率的具体办法详细介绍：

1、LED防爆灯的LED灯珠晶体外观设计的更改：更改LED防爆灯的矩形框外型样子是一个合理提高发光高效率的方式。能够依据光学原理去改。

2、LED防爆灯表面脏话技术性：将组件的內部及其外界的几何图形样子粗比，毁坏光源在组件內部的全反射，提高组件的应用高效率。钝化处理方式大部分是在组件的几何图形样子上产生标准的凸凹样子，而这类标准遍布的构造也依地理位置的不一样分为了二种方式，一种是在组件内设定凸凹样子，另一种方法是在组件上边制做标准的凸凹样子，并在组件反面设定反射层。现阶段若应用光波长为405nm的紫外线组件，可以多得43%外界量子效率，取下高效率为60%。是现阶段部位全一般较大的外界量子效率与取下高效率。

3、LED防爆灯集成ic粘贴技术性：是为了更好地降低GaAs基钢板对LED所释放光源的消化吸收，一部分科学研究组织明确提出全透明基钢板是黏贴技术性。这也是LED灯集成ic的研究内容之一。

4、LED防爆灯覆晶封裝技术性：用FlipChip构造替代蓝宝石毛基钢板的GaN系列产品的原材料将要传统式的组件反置，并在p型电级上边制做透射率较高的反射层，藉以将原来从组件上边传出的光源从组件其他的发光视角导出来，而由蓝色宝石基钢板端缘取光。那样的方式由于减少了在电级侧的光耗损，可有贴近于传统式封裝方法二倍上下的视度輸出。另一方面，由于覆晶构造可立即通过电级或者凸块与封裝构造中的排热构造直接接触，而大幅度提高组件的排热实际效果，进一步提高组件的流明值。

5、LED防爆灯全透明衬底技术性：除去GaAs衬底，代对于透明的GaP结晶。因为集成ic内去除了衬底消化吸收区，使量子效率从4％提高到25‐30％。为进一步减少电级区的消化吸收，有些人将这类全透明衬底型的InGaAlP器件制做成截角倒圆锥体的外观设计，使量子效率拥有更高的提升 。

6、LED防爆灯陶瓷膜反射面技术性：即MB制造，较先除去GaAs衬底，随后在其表面与Si底材表面与此同时蒸镀Al质陶瓷膜，随后在一定的溫度与工作压力下溶接在一起。这般，从发光层照射基钢板的光源被Al质陶瓷膜层反射面至集成ic表面，进而使器件的发光高效率提升 2.5倍之上。

7、LED防爆灯表面薄膜光学技术性：表面薄膜光学制造是提升 器件出光高效率的又一个合理技术性，该技术性的基本上关键点是在集成ic表面离子注入很多规格为光的波长数量级的小构造，每一个构造呈截角四面体状，这般不仅拓展了出光总面积，并且更改了光在集成ic表面处的映射方位，进而使透光性高效率明显增强。比较准测量强调，针对对话框层薄厚为20μm的器件，出光高效率可提高30％。当对话框层薄厚降至10μm时，出光高效率将有60％的改善。针对585‐625nm光波长的LED器件，制做纹路构造后，发光高效率可以达到30lm/w，其值已贴近全透明衬底器件的水准。

8、LED防爆灯倒装句高端芯片：根据MOCVD技术性在兰宝石衬底上生长发育GaN基LED固层，由P/N结发光区传出的光通过上边的P型区射出去。因为P型GaN传导性耳聋能不佳，为得到 优良的电流量拓展，必须 根据蒸镀技术性在P区表面产生一层Ni‐Au构成的金属电极层。P区导线根据该层金属材料塑料薄膜引出来。为得到 好的电流量拓展，Ni‐Au金属电极层就不可以过薄。因此，器件的发光高效率便会遭受非常大危害，一般要与此同时兼具电流量拓展与出光高效率二个要素。但不管在什么情况，金属材料塑料薄膜的存有，总是会使透光度能下降。除此之外，导线点焊的存有也使器件的出光高效率遭受危害。选用GaNLED倒装句集成ic的构造能够从源头上清除金属材料塑料薄膜透光度会差，发光高效率差的状况。

9、LED防爆灯集成ic键合技术性：伴随着对键合原理的慢慢了解和键合制造技术性的慢慢完善，各种不同原材料的集成ic中间早已可以完成相互之间键合，进而很有可能产生一些独特主要用途的原材料和器件。如在单晶硅片上产生硅化物层再开展键合就可以产生一种新的构造。因为硅化物的导电率很高，因而能够替代双极型器件中的隐埋层，进而减少RC参量。

10、LED防爆灯激光器剥离技术：激光器剥离技术（LLO）是运用激光器动能溶解GaN/蓝色宝石连接处的GaN缓存层，进而完成LED外延片从蓝色宝石衬底分离出来。技术性优势是外延片迁移到高导热系数的热沉上，可以改进大规格集成ic中电流量拓展。n面为出亮面：发光总面积扩大，电级采光小，有利于制取薄膜光学，而且降低离子注入、磨光片、片区。更关键的是蓝色宝石衬底能够反复应用。